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深圳市圣馬電源技術(shù)有限公司
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技術(shù)文章

IR宇航和國防耐輻射MOSFET(1)
**和空間應(yīng)用為今天的系統(tǒng)設(shè)計(jì)者提出了一項(xiàng)獨(dú)特的挑戰(zhàn)。空間硬件必須在極端環(huán)境條件下運(yùn)行，包括暴露于嚴(yán)酷的離子放射中，這使得耐輻射組件的使用成為必要。IR**以其特有的耐輻射MOSFET工藝，應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)已經(jīng)超過20年。從1985年**個(gè)耐輻射MOSFET的推出，到*新一代的器件，IR不斷地超越著工程師們的期望。
圣馬電源專業(yè)代理IR公司IRFF,IRFY，IRHY，IRF5Y，IRFM,IRHM，IRHN,JANS,JANTX,JTATXV系列**二三極管及宇航級(jí)功率管，產(chǎn)品成功應(yīng)用于**科技、航天工業(yè)、雷達(dá)系統(tǒng)、船舶工業(yè)、自動(dòng)控制、儀器儀表等高科技市場(chǎng)。

Gen IV
  • 60V-600V
  • N/P-溝道
  • 100K-1000K 輻射
R5
  • 30V-250V
  • N/P-溝道
  • 100K-1000K輻射
R6
  • 100V-1,000V
  • N-溝道
  • 100K-300K輻射
R7 邏輯層
  • 60V-250V
  • N/P-溝道
  • 100K-300K輻射
更高效功率電子的趨勢(shì)，包括直流-直流轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制器，對(duì)于**和空間硬件也同樣適用。IR的*新一代耐輻射MOSFET可以應(yīng)對(duì)這種挑戰(zhàn)，因?yàn)樗峁┝?*的單事件影響（SEE）和總離子量（TID）性能。IR的R7系列是**個(gè)帶有邏輯層閾電壓的耐輻射MOSFET.耐輻射MOSFET的R6系列可在實(shí)現(xiàn)10倍SEE改進(jìn)的情況下，對(duì)Rds(on)也加以改進(jìn)。
 
 

R6?系列
國際整流器公司的R6?技術(shù)為空間應(yīng)用提供了超級(jí)的功率MOSFET。這些器件對(duì)抗單事件影響（SEE）的能力。它們結(jié)合了非常低的RDS(on)和更快的轉(zhuǎn)換時(shí)間，在目前的高速切換應(yīng)用中減小了功率散失，如直流-直流轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制器。
特性
 提高系統(tǒng)效能2.5%*
 降低MOSFET功率散失30%*
 降低RDS(on)*高達(dá)40%
 抗SEE能力達(dá)到90MeV的LET
 300千拉德 (Si)TID定額
* 與前一代器件相比

R6 產(chǎn)品清單

Part BVDSS RDS(on) @ 25C (pre-Irradiation) ID @ 25C (A) ID @ 100C (A) Total Dose Optional Total Dose Ratings Power Dissipation (W)
IRHNA672602000.0286340100300250
IRHNJ67C306002.903.42.210030075
IRHNJ672342500.21012.47.810030075
IRHNJ671341500.088191210030075
IRHNA671601000.0105656100300250
IRHY67C30CM6003.003.42.110030075
IRHYS67134CM1500.09191210030075
IRHNJ671301000.042221910030075
IRHYS67230CM2000.13161010030075
IRHYS67234CM2500.22127.610030075
IRHYB67130CM1000.042201910030075
IRHMS671641500.0194544100300208
IRHNA672642500.0405031.5100300250
IRHMS671601000.0114545100300208
IRHYS67130CM1000.042201910030075
IRHMS672602000.0294535100300208
IRHMS672642500.0414528.5100300208
IRHYB67134CM1500.09191210030075
IRHNA671641500.0185649100300250
IRHYB67230CM2000.13161010030075
IRHNJ672302000.13161010030075

R7?邏輯級(jí)系列
國際整流器R7?邏輯級(jí)MOSFET，為空間和其他輻射環(huán)境中的功率元件接口CMOS和TTL控制電路提供了簡(jiǎn)單的解決方案。在*高溫度和過度輻射條件下，閾電壓仍保留在可接受運(yùn)行極限內(nèi)。這是在保持單粒子?xùn)糯⊿EGR）和單粒子燒毀（SEB）耐力的情況下實(shí)現(xiàn)的。這些器件應(yīng)用有同步降壓轉(zhuǎn)換器、LDO中的線性旁路元件，以及2N2222和 2N2907晶體管中的替換件。
特性
 邏輯級(jí)的 CMOS和TTL兼容輸入
 簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)需求
 快速切換
 SEE抗力達(dá)到82MeV的LET
 100K and 300K拉德(Si)的TID定額
R7 產(chǎn)品清單
Part Package Polarity BVDSS RDS(on) @ 25C (pre-Irradiation) ID @ 25C (A) ID @ 100C (A) Total Dose Optional Total Dose Ratings Power Dissipation (W)
IRHLYS77034CMTO-257AA Low OhmicN600.045202010030075
IRHLF770Z4TO-205AFN600.51.611003005
IRHLF7970Z4TO-205AFP-601.2-1.6-1.01003005
IRHLNJ797034SMD-0.5P-600.072-22-14.910030057
IRHLNA797064SMD-2P-600.015-56.0-56100300250
IRHLF77110TO-205AFN1000.306.03.710030023
IRHLUB7970Z4UBP-601.3-0.53-0.331003000.6
IRHLNA77064SMD-2N600.0125656100300250
IRHLUB770Z4UBN600.550.80.51003000.6
IRHLNJ77034SMD-0.5N600.035222010030057
IRHLYS797034CMTO-257AA Low OhmicP-600.072-20-1710030075
IRHLF77214TO-205AFN2501.03.32.110030023
更多信息，請(qǐng)查閱此產(chǎn)品規(guī)格書或致電圣馬電源技術(shù)部電話：0755-83562355-35咨詢，謝謝！

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